IBE 離子束刻蝕機(jī)刻蝕應(yīng)用
上海伯東提供 4-8寸 IBE 離子束刻蝕機(jī), 可以實(shí)現(xiàn) ICP 或 RIE 無法進(jìn)行的刻蝕, 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料. IBE 離子束刻蝕機(jī)離子束角度可以 ±90°任意調(diào)整, 刻蝕可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕均勻性 ≤±5%(部分材料 ±3%).


IBE 離子束刻蝕機(jī)主要研發(fā)應(yīng)用
光柵刻蝕: 閃耀光柵, 斜齒光柵, 平行光柵等刻蝕 ( VR, AR 光學(xué)鏡片組件)
薄膜刻蝕: Pt, Au 涂層為主的功率器件
硅光刻蝕
MEMS 傳感器刻蝕
自旋電子研究

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī)典型客戶應(yīng)用案例

應(yīng)用	襯底材料	刻蝕材料
薄膜襯底 Thin Film Substrate (Submounts)	Al2O3	Ti / Pt / Au	電極 Electrode
		TaN	電阻材料 Resistance Element
薄膜組件 Thin Film Submounts	Al2O3	Ti / Pt / Au	電極 Electrode
應(yīng)變傳感器 Strain Sensor	Glass	NiCr	電阻材料 Resistance Element
紅外傳感器 Infrared Sensor	GaAs, GaN	Au, Pt, +α	電極 Electrode
磁傳感器 Magnetic Sensor (TMF Sensor)	Glass, Al2O3	Cu	線圈 Coil
		Ni-Mo	磁層 Magnetic Layer
		Au	電極 Electrode
射頻線圈 RF Coil	Al2O3	Cu	線圈 Coil
		TaN	Resistance Element
射頻器件 RF device	SiC	Au	電極 Electrode
鉑薄膜熱傳感器 Pt Thin Film Thermal Sensor	Al2O3	Pt	電阻材料 Resistance Element
LD, LED	GaN	GaN	LD
	GaAs	Ti / Pt / Au +α	電極 Electrode
	Si	Ti / Mo / Ti / Au	電極 Electrode
LN 調(diào)制器 LN Modulator	LN(LiNbO3)	LiNbO3 /SiOx	光波導(dǎo) Optical Waveguide
MEMS	Si, LN, LT	LN etc..
硅光臺(tái) Si optical bench	Si	Ti / Pt / Au	電極 Electrode
氣體傳感器 Gas Sensor	Si	Ta2O5, Pt	電極 Electrode
薄膜組件 Thin Film Submounts	AlN	Ti / Pt / Au	電極 Electrode

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子刻蝕機(jī). 刻蝕機(jī)配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的 IBE 離子束刻蝕市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)!

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上海伯東: 葉小姐                                   臺(tái)灣伯東: 王小姐
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