離子束刻蝕機 10 IBE
上海伯東日本原裝進(jìn)口 NS 離子束刻蝕機 10 IBE, 適用于實驗室研究 8寸及以下單片的材料刻蝕. 離子束刻蝕機 10 IBE 可選配美國 KRi 離子源或終點檢測(監(jiān)測當(dāng)前氣體成分, 監(jiān)控刻蝕制程).

離子束刻蝕機 10 IBE 基本參數(shù)

型號	10 IBE	可選
應(yīng)用	實驗室研發(fā),占地面積小
內(nèi)置	考夫曼型離子源(或根據(jù)需求選擇射頻離子源)
基板尺寸	φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1枚 (可根據(jù)器件大小定制載臺)
均勻性	≤±5%
刻蝕速率	硅片 20 nm/min
工藝氣體	Ar, O2, N2
樣品臺	直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn)

 

離子蝕刻機 10IBE 組成：

離子束刻蝕機 IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 可選配德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 機臺設(shè)計使用半自動化(手動放置樣品)操作流程

上海伯東離子束刻蝕機可根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制. 離子束刻蝕作為干法蝕刻工藝中的微細(xì)加工被廣泛應(yīng)用. 由于是不伴隨化學(xué)反應(yīng)的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用于Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用于由多個金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經(jīng)驗, 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過市場驗證的刻蝕技術(shù)!

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