美國 KRi 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國 KRi 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流 > 750 mA, KRi 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, eH 400 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.

KRi 霍爾離子源 eH 400 特性
高離子束電流滿足沉積率的臨界到達(dá)比
低離子能量通過避免高能離子對(duì)表面和界面的轟擊損傷而使產(chǎn)量更大化
寬束, 發(fā)散離子束通過均勻地覆蓋沉積區(qū)從而增加每次加工零件數(shù)量來提高吞吐量
堅(jiān)固耐用的模塊化結(jié)構(gòu)降低了備件耗材和維護(hù)時(shí)間, 減少維護(hù)成本和停機(jī)時(shí)間
無柵網(wǎng), 緊湊設(shè)計(jì), 方便加裝, 提供離子輔助功能


KRi 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	eH 400
陽極	DC
陽極電流(最大)	5A
離子束流(最大)	>750mA
陽極電壓范圍	40-300V
離子能量范圍	25-300eV
陽極功率(最大)	500W (輻射冷卻)
氣體	惰性氣體和反應(yīng)氣體
氣體流量	3-30 sccm
壓力	< 1 x 10-3 Torr
離子束流直徑	4cm Φ
離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
陰極中和器	沉浸式或非沉浸式
高度	3.0” (7.62cm)
直徑	3.7” (9.4cm)

KRi 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
電子束蒸發(fā), 磁控濺射中的 IBAD 輔助鍍膜
沉積前的預(yù)清潔
類金剛石碳涂層
低能離子束蝕刻
離子束濺射

KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 典型案例:
設(shè)備: 美國進(jìn)口 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
離子源型號(hào): EH 400
應(yīng)用: IBAD 輔助鍍膜, 通過向生長的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動(dòng)力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動(dòng)性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計(jì)量完整材料.
離子源對(duì)工藝過程的優(yōu)化: 無需加熱襯底, 對(duì)溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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