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美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 220 助力光學(xué)薄膜技術(shù)發(fā)展
上海伯東美國(guó) KRi 高能量射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用于光學(xué)鍍膜機(jī), 增強(qiáng)光學(xué)基片反射及透射率, 助力光學(xué)薄膜技術(shù)發(fā)展.
KRi 射頻離子源在光學(xué)鍍膜機(jī)中的作用
設(shè)備: 自主搭建光學(xué)鍍膜機(jī), 光學(xué)薄膜強(qiáng)激光裝置組成部分之一
美國(guó)原裝進(jìn)口高能射頻離子源: RFICP 220
作用: 通過(guò)玻璃鏡片表面清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 增強(qiáng)光學(xué)基片反射及透射率. 從而加強(qiáng)激光束, 對(duì)薄膜內(nèi)部進(jìn)行雜質(zhì)和缺陷消除, 解決光學(xué)薄膜內(nèi)部因存在雜質(zhì)與缺陷導(dǎo)致的激光損傷問(wèn)題
真空環(huán)境下, KRi 射頻離子源通過(guò)向生長(zhǎng)的薄膜中添加能量來(lái)增強(qiáng)分子動(dòng)力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動(dòng)性, 實(shí)現(xiàn)薄膜的致密化或通過(guò)向生長(zhǎng)薄膜中添加活性離子來(lái)增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到需要的材料. 同時(shí) KRi 射頻離子源可以對(duì)工藝過(guò)程優(yōu)化, 無(wú)需加熱襯底, 對(duì)溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡(jiǎn)化反應(yīng)沉積.
上海伯東美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 220 : 高能量射頻離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 滿足 200 mm (8英寸) 晶圓應(yīng)用. 射頻離子源 RFICP 220 可以很好的控制離子束沉積或?yàn)R射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 標(biāo)準(zhǔn)配置下RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 1000 mA.
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陽(yáng)極 |
電感耦合等離子體 |
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最大陽(yáng)極功率 |
>1kW |
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最大離子束流 |
> 1000mA |
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電壓范圍 |
100-1200V |
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離子束動(dòng)能 |
100-1200eV |
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氣體 |
Ar, O2, N2, 其他 |
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流量 |
5-50 sccm |
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壓力 |
< 0.5mTorr |
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離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn) |
OptiBeamTM |
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離子束柵極 |
22cm Φ |
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柵極材質(zhì) |
鉬 |
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離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 or RFN |
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高度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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鎖緊安裝法蘭 |
10”CF |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. KRi 離子源在真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能, 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域. 上海伯東是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理
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