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新品上市

【新品推薦】ULVAC-PHI 超高真空表面分析儀器
上海伯東代理日本 ULVAC-PHI 超高真空表面分析儀器, 包含 XPS 光電子能譜儀 , AES 俄歇電子能譜儀Tof-SIMS 飛行時間二次離子質譜儀D-SIMS 動態(tài)二次離子質譜儀, 應用領域涵蓋納米技術, 太陽能技術, 微電子技術, 存儲介質, 催化, 生物材料, 藥品以及金屬, 礦物, 聚合物, 復合材料和涂料等基礎材料, 滿足科學研究, 失效分析, 產(chǎn)品質量檢測等需要.

X 射線光電子能譜儀 XPS
XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), 又稱 ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis), 是利用 X 射線入射樣品表面, 探測樣品表面出射的光電子, 來獲得表面組成及化學態(tài)信息的一種表面分析方法. XPS 可對元素成分進行定性定量分析, 同時通過微聚焦掃描技術可以實現(xiàn)微米級空間分辨能力, 因此廣泛應用于科學研究和高科技產(chǎn)業(yè)等領域, 包括材料科學, 能源科學, 半導體器件, 微電子器件以及表面處理和表面異常檢測等.

光電子能譜儀 PHI GENESIS 500

推薦型號: 光電子能譜儀 PHI GENESIS 500
既可常規(guī)高通量測試, 又可微區(qū)高性能測試
易操作式多功能選配附件
全自動樣品傳送停放
高性能大面積和微區(qū) XPS 分析
快速精準深度剖析
為電池, 半導體, 有機器件以及其他各領域提供全面解決方案


硬 X射線光電子能譜儀 HAXPES
硬X射線光電子能譜 HAXPES 是一種先進的表面分析技術, 主要用于研究固體樣品的表面電子結構和化學態(tài). HAXPES 利用高能 X射線(例如 Cr Kα 射線 , 能量為 5414.7 eV)激發(fā)樣品表面的電子. 通過測量這些電子的能量分布, 能夠獲得關于樣品表面的化學成分和電子結構的詳細信息. 與傳統(tǒng)的 XPS(軟X射線光電子能譜)相比, HAXPES 具有更深的探測深度, 通??蛇_約 30 nm, 適用于多層薄膜, 半導體光電器件等樣品的無損深度分析.

硬 X射線光電子能譜儀 GENESIS 900

推薦型號: 硬X射線光電子能譜  PHI GENESIS 900
易操作式多功能選配附件
全自動樣品傳送停放
高性能高通量的大面積和微區(qū) HAXPES分析
快速精準深度剖析
更深的探測深度
更高的能量分辨率與材料兼容性
為電池, 半導體, 有機器件以及其他各領域提供全面解決方案


飛行時間二次離子質譜儀 TOF-SIMS
TOF-SIMS (Time of Flight Secondary lon Mass Spectrometry) 是利用脈沖離子束轟擊樣品表面產(chǎn)生二次離子, 經(jīng)飛行時間分析器分析二次離子到達探測器的時間, 從而獲得樣品表面成份信息的分析技術. 其表面靈感度高,提供表面幾個原子層的分子, 元素及其同位素的組成信息, 運用于所有元素和同位素, 包括氫元素.

飛行時間二次離子質譜儀 PHI nanoTOF 3+

推薦型號: 飛行時間二次離子質譜儀 PHI nanoTOF 3+ 
180度的廣接收角, 可收集超過100 um大景深樣品成像
立體收集焦距大和深景深
同時實現(xiàn)高空間及高質量分辨模式(High spatial resolution and mass resolution)
多種離子槍選配, 實現(xiàn)高精度深度剖析和3D成像
FIB-TOF三維深度分布成像
在 TOF-SIMS 上架設的 MSMS 質譜串聯(lián)技術


俄歇電子能譜儀 Auger
AES  (Auger Electron Spectroscopy) 是利用電子束電離激發(fā)原子內層電子, 探測退激發(fā)過程出射的俄歇電子, 獲得樣品表面的組成及化學性質的分析方法. AES 不僅表面靈敏, 而且具有納米級的空間分辨率, 因此廣泛應用于半導體器件, 微電子器件和材料科學等研究.

俄歇電子能譜儀 PHI 710

推薦型號: 俄歇電子能譜儀 PHI 710
使用 CMA 同軸分析器, 實現(xiàn) 360度高靈敏度和高傳輸率分析. 即使在低電流情況下(高空間分辨率), 都可輕松進行分析
以 20kV 加速電壓和 1nA 電流進行俄歇分析, AES 空間分辨率可達 8nm
在保有所有 CMA 的優(yōu)點同時, 結合獲得美國真空協(xié)會 AVS 設計獎的高能量分辨率功能, AES 可以進行各種納米級區(qū)域的化學態(tài)分析


動態(tài)二次離子質譜儀 D-SIMS
ADEPT-1010 專為淺層半導體注入和絕緣薄膜的自動分析而設計, 是大多數(shù)半導體開發(fā)和支持實驗室的常用工具. 通過優(yōu)化的二次離子收集光學系統(tǒng)和超高真空設計, 提供了薄膜結構檢測中的摻雜組分和常見雜質所需的靈敏度

動態(tài)二次離子質譜儀 ADEPT-1010

推薦型號: 動態(tài)二次離子質譜儀 ADEPT-1010
高靈敏度二次離子檢測光學系統(tǒng)
懸浮電位離子槍適于淺注入層分析
對大氣污染物組分具有低檢出限
絕緣體深度分析
高精度自動樣品臺


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