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【新品推薦】ULVAC-PHI 超高真空表面分析儀器
上海伯東代理日本 ULVAC-PHI 超高真空表面分析儀器, 包含 XPS 光電子能譜儀 , AES 俄歇電子能譜儀, Tof-SIMS 飛行時間二次離子質譜儀和 D-SIMS 動態(tài)二次離子質譜儀, 應用領域涵蓋納米技術, 太陽能技術, 微電子技術, 存儲介質, 催化, 生物材料, 藥品以及金屬, 礦物, 聚合物, 復合材料和涂料等基礎材料, 滿足科學研究, 失效分析, 產(chǎn)品質量檢測等需要.
X 射線光電子能譜儀 XPS
XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), 又稱 ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis), 是利用 X 射線入射樣品表面, 探測樣品表面出射的光電子, 來獲得表面組成及化學態(tài)信息的一種表面分析方法. XPS 可對元素成分進行定性定量分析, 同時通過微聚焦掃描技術可以實現(xiàn)微米級空間分辨能力, 因此廣泛應用于科學研究和高科技產(chǎn)業(yè)等領域, 包括材料科學, 能源科學, 半導體器件, 微電子器件以及表面處理和表面異常檢測等.
推薦型號: 光電子能譜儀 PHI GENESIS 500 |
硬 X射線光電子能譜儀 HAXPES
硬X射線光電子能譜 HAXPES 是一種先進的表面分析技術, 主要用于研究固體樣品的表面電子結構和化學態(tài). HAXPES 利用高能 X射線(例如 Cr Kα 射線 , 能量為 5414.7 eV)激發(fā)樣品表面的電子. 通過測量這些電子的能量分布, 能夠獲得關于樣品表面的化學成分和電子結構的詳細信息. 與傳統(tǒng)的 XPS(軟X射線光電子能譜)相比, HAXPES 具有更深的探測深度, 通??蛇_約 30 nm, 適用于多層薄膜, 半導體光電器件等樣品的無損深度分析.
推薦型號: 硬X射線光電子能譜 PHI GENESIS 900 |
飛行時間二次離子質譜儀 TOF-SIMS
TOF-SIMS (Time of Flight Secondary lon Mass Spectrometry) 是利用脈沖離子束轟擊樣品表面產(chǎn)生二次離子, 經(jīng)飛行時間分析器分析二次離子到達探測器的時間, 從而獲得樣品表面成份信息的分析技術. 其表面靈感度高,提供表面幾個原子層的分子, 元素及其同位素的組成信息, 運用于所有元素和同位素, 包括氫元素.
推薦型號: 飛行時間二次離子質譜儀 PHI nanoTOF 3+ |
俄歇電子能譜儀 Auger
AES (Auger Electron Spectroscopy) 是利用電子束電離激發(fā)原子內層電子, 探測退激發(fā)過程出射的俄歇電子, 獲得樣品表面的組成及化學性質的分析方法. AES 不僅表面靈敏, 而且具有納米級的空間分辨率, 因此廣泛應用于半導體器件, 微電子器件和材料科學等研究.
推薦型號: 俄歇電子能譜儀 PHI 710 |
動態(tài)二次離子質譜儀 D-SIMS
ADEPT-1010 專為淺層半導體注入和絕緣薄膜的自動分析而設計, 是大多數(shù)半導體開發(fā)和支持實驗室的常用工具. 通過優(yōu)化的二次離子收集光學系統(tǒng)和超高真空設計, 提供了薄膜結構檢測中的摻雜組分和常見雜質所需的靈敏度
推薦型號: 動態(tài)二次離子質譜儀 ADEPT-1010 |
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