KRi 考夫曼離子源 KDC 100 應用于 IBE 離子束刻蝕機
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 100, KDC 75 又獲 IBE 離子束刻蝕機訂單, 應用于刻蝕 2寸,4寸金屬和多層氧化物, 滿足客戶研發(fā)液晶功能材料及器件, 如光柵器件(透射式, 螺旋式和閃耀式光柵) 等要求.

KRi 考夫曼離子源 KDC 離子束刻蝕應用案例: 刻蝕拋光后的硅片


KRi 考夫曼離子源在刻蝕應用優(yōu)勢
1. 遠程等離子工藝
2. 基板無需加 BIAS
3. 純物理刻蝕, 可以刻蝕任何材料
4. 各向異性刻蝕（側壁準直度好）
5. 刻蝕角度可控制
6. 離子能量, 離子束流可調節(jié)控制
7. 多層膜刻蝕時無需化學優(yōu)化
8. Ar 作為工藝氣體, 工藝簡單, 根據刻蝕需求可以增加反應氣體

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列: 通過加熱燈絲產生電子, 低電流高能量寬束型離子源

型號	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
Discharge 陽極	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	1-5 sccm	2-10 sccm	2-15 sccm	2-20 sccm	2-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	11.5 cm	17.1 cm	20.1 cm	23.5 cm	25.2 cm
直徑	4 cm	9 cm	14 cm	19.4 cm	23.2 cm
中和器	燈絲

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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