美國 KRi 霍爾離子源不規(guī)則電子晶片蒸鍍前清洗
上海伯東美國 KRi 霍爾離子源 EH 400 成功應(yīng)用于蒸發(fā)鍍膜機(jī), 協(xié)助客戶完成不規(guī)則電子晶片蒸鍍前清洗, 經(jīng)過清洗后的晶片鍍膜, 膜層厚度均勻性及附著牢固度都明顯提高.

KRi 霍爾離子源在不規(guī)則電子晶片蒸鍍中的作用
設(shè)備: 進(jìn)口蒸發(fā)鍍膜機(jī), 加裝離子源
離子源型號: KRi 霍爾離子源 EH 400
預(yù)清潔應(yīng)用: 通過離子 Ar 轟擊晶片表面, 去除物理或化學(xué)吸附的污染物, 清潔后在進(jìn)行蒸鍍, 膜層厚度均勻性及附著牢固度都明顯提高.
去除物理吸附污染: 去除晶片表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳?xì)浠衔餁埩?br /> 去除化學(xué)吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å


美國 KRi 霍爾離子源  eH 400 特性
高離子束電流滿足沉積率的臨界到達(dá)比
低離子能量通過避免高能離子對表面和界面的轟擊損傷而使產(chǎn)量更大化
寬束, 發(fā)散離子束通過均勻地覆蓋沉積區(qū)從而增加每次加工零件數(shù)量來提高吞吐量
堅(jiān)固耐用的模塊化結(jié)構(gòu)降低了備件耗材和維護(hù)時(shí)間, 減少維護(hù)成本和停機(jī)時(shí)間
無柵網(wǎng), 緊湊設(shè)計(jì), 方便加裝, 提供離子輔助功能

KRi 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

型號	eH 400
陽極	DC
陽極電流(最大)	5A
離子束流(最大)	>750mA
陽極電壓范圍	40-300V
離子能量范圍	25-300eV
陽極功率(最大)	500W (輻射冷卻)
氣體	惰性氣體和反應(yīng)氣體
氣體流量	3-30 sccm
壓力	< 1 x 10-3 Torr
離子束流直徑	4cm Φ
離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
陰極中和器	沉浸式或非沉浸式
高度	3.0” (7.62cm)
直徑	3.7” (9.4cm)

上海伯東代理美國 KRi 離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機(jī)物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！ 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. KRi 離子源在真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能, 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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