上海伯東 Hakuto 日本原裝設計制造離子束刻蝕機 IBE (離子蝕刻機) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 納米級別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%. 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 廣泛應用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發(fā)和量產需要. IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.

            離子刻蝕機 4IBE                                   離子刻蝕機 20IBE                        全自動蝕刻機 MEL 3100

離子束刻蝕機 IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 配置德國 Pfeiffer 分子泵







離子束刻蝕機 IBE 型號參數
上海伯東提供用于研究分析的小尺寸離子刻蝕機, 用于生產制造的大尺寸離子蝕刻機, 以及全自動刻蝕機. 滿足研發(fā)和量產需求！

型號	4IBE	7.5IBE	10IBE	16IBE	20IBE-C	20IBE-J	MEL 3100
樣品數量尺寸	φ4”X 1	φ4” X1	φ8” X1	φ6”X1	φ3” X8 φ4” X6	φ4” X12 φ5” X10 φ6” X8	φ3” -φ6”X1
離子束入射角度	0～± 90	0～± 90	0～± 90	0～± 90	0～± 90	0～± 90	-
離子源	考夫曼型	考夫曼型	考夫曼型	考夫曼型	考夫曼型	考夫曼型	-
極限真空度 Pa	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦8x10-5
均勻性	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%

上海伯東日本原裝進口離子束刻蝕機推薦應用:

類別	器件	刻蝕材料
磁性器件	自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD	Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…
傳感器 MEMS	鉑熱電阻, 流量計, 紅外傳感器, 壓電打印機頭等	PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…
RF 射頻器件	射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等	Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等
光電子	激光二極管, 光電探測器, 薄膜分裝等	Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等
其他	探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導等	NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子刻蝕機. 刻蝕機配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的離子束刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術! 上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 

若您需要進一步的了解離子束刻蝕機 IBE 詳細信息, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 葉小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 107              T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )      M: +886-975-571-910
qq: 2821409400 
www.njxiz.cn                        www.hakuto-vacuum.com.tw

現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權所有, 翻拷必究！